Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.

Ivan Frederico Lupiano Dias; Rogério Chaves Miranda; Alfredo Gontijo de Oliveira

doi:10.5433/1679-0375.1994v14n4p329

Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.

Autores

Ivan Frederico Lupiano Dias Universidade Estadual de Londrina
Rogério Chaves Miranda Universidade Federal de Minas Gerais.
Alfredo Gontijo de Oliveira Universidade Federal de Minas Gerais.

DOI:

https://doi.org/10.5433/1679-0375.1994v14n4p329

Palavras-chave:

Semicondutores, Liga Ternária, Epitaxia por Feixe Molecular.

Resumo

Discutimos a influência das condições de crescimento, concentração de dopantes e composição sobre as propriedades elétricas de amostras da liga ternária Al_xGa_1-xAs dopada com Silício, preparadas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE).

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Biografia do Autor

Ivan Frederico Lupiano Dias, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física/CCE.

Rogério Chaves Miranda, Universidade Federal de Minas Gerais.

Departamento de Física/ICEX.

Alfredo Gontijo de Oliveira, Universidade Federal de Minas Gerais.

Departamento de Física/ICEX.

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Publicado

2004-12-15

Como Citar

Dias, I. F. L., Miranda, R. C., & Oliveira, A. G. de. (2004). Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício. Semina: Ciências Exatas E Tecnológicas, 14(4), 329–338. https://doi.org/10.5433/1679-0375.1994v14n4p329

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Edição

Vol. 14/15, No 4 (1994)

Seção

Artigos

Licença

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