A infuência de diferentes interfaces nas características elétricas e ópticas de Espelhos de Bragg de ALGaAsSB/ALAsSB dopados com Te, sobre InP.
DOI:
https://doi.org/10.5433/1679-0375.2008v29n1p39Palavras-chave:
Semicondutor, Espelhos de Bragg, AlGaAsSb, AlAsSb.Resumo
São apresentadas as propriedades elétricas e ópticas de espelhos de Bragg com 6.5 períodos de AlGaAsSb/ AlAsSb não dopado e dopados com Te, sobre InP, crescidos por MBE com diferentes tipos de interface entre as camadas de material ternário e quaternário. As técnicas empregadas foram fotoluminescência, reflectividade e medições de IxV. A interface com liga digital em gradiente parece ser a melhor alternativa para otimizar condução elétrica sem perdas significativas da reflectividade.
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