A técnica de fotoluminescência aplicada à investigação de imperfeições estruturais em poços quânticos de materiais semicondutores
DOI:
https://doi.org/10.5433/1679-0375.2005v26n1p23Palavras-chave:
Semicondutores, Poços quânticos, Interfaces, Fotoluminescência.Resumo
Fotoluminescência é uma das técnicas de espectroscopia mais utilizadas no estudo das propriedades ópticas de materiais e heteroestruturas semicondutoras. Neste trabalho, é explorada a potencialidade desta técnica na investigação e caracterização de imperfeições estruturais decorrentes de flutuações na composição química de ligas ternárias e quaternárias, rugosidades de interface, e compostos estequiometricamente indesejados decorrentes da troca entre elementos químicos nas interfaces. São analisadas amostras de poços quânticos formados por teroestruturas de GaAs/AlGaAs, GaAsSb/GaAs, GaAsSbN/GaAs e GaAs/GaInP, tendo como objetivo verificar a influência das imperfeições estruturais sobre os espectros de PL.
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