Refletividade em Espelhos de Bragg de AlGaAsSb/AlAsSb sobre InP
DOI:
https://doi.org/10.5433/1679-0375.2003v24n1p69Palavras-chave:
Semicondutores, Refletividade, Espelho de Bragg, AlGaAsSb, AlAsSb.Resumo
Analisamos neste trabalho, a refletividade de um espelho de Bragg composto por materiais da família do antimônio (AlGaAsSb/AlAsSb) dopado com telúrio. As amostras foram preparadas através da técnica de epitaxia por feixe molecular MBE (Molecular Beam Epitaxy) e as medidas de refletividade pela técnica de espectroscopia de infravermelho por transformada de Fourier FTIR (Fourier Transform Infra- Red). Para discussão das propriedades do espelho de Bragg comparamos a refletividade obtida experimentalmente e uma simulação baseada no formalismo matricial.
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