A infuência de diferentes interfaces nas características elétricas e ópticas de Espelhos de Bragg de ALGaAsSB/ALAsSB dopados com Te, sobre InP.
DOI:
https://doi.org/10.5433/1679-0375.2008v29n1p39Palavras-chave:
Semicondutor, Espelhos de Bragg, AlGaAsSb, AlAsSb.Resumo
São apresentadas as propriedades elétricas e ópticas de espelhos de Bragg com 6.5 períodos de AlGaAsSb/ AlAsSb não dopado e dopados com Te, sobre InP, crescidos por MBE com diferentes tipos de interface entre as camadas de material ternário e quaternário. As técnicas empregadas foram fotoluminescência, reflectividade e medições de IxV. A interface com liga digital em gradiente parece ser a melhor alternativa para otimizar condução elétrica sem perdas significativas da reflectividade.
Métricas
Downloads
Publicado
Como Citar
Edição
Seção
Licença
Os Direitos Autorais para artigos publicados nesta revista são de direito do autor. Em virtude de aparecerem nesta revista de acesso público, os artigos são de uso gratuito, com atribuições próprias, em aplicações educacionais e não-comerciais. A revista se reserva o direito de efetuar, nos originais, alterações de ordem normativa, ortográfica e gramatical, com vistas a manter o padrão culto da língua e a credibilidade do veículo. Respeitará, no entanto, o estilo de escrever dos autores. Alterações, correções ou sugestões de ordem conceitual serão encaminhadas aos autores, quando necessário. Nesses casos, os artigos, depois de adequados, deverão ser submetidos a nova apreciação. As opiniões emitidas pelos autores dos artigos são de sua exclusiva responsabilidade.
Esta obra está licenciada com uma Licença Creative Commons Atribuição-NãoComercial 4.0 Internacional.
