Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular

Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular

Autores

  • Luiz Carlos Poças Universidade Estadual de Londrina
  • Élder Mantovani Lopes Universidade Estadual de Londrina
  • José Leonil Duarte Universidade Estadual de Londrina
  • Ivan Frederico Lupiano Dias Universidade Estadual de Londrina
  • Edson Laureto Universidade Estadual de Londrina
  • Dari Oliveira Toginho Filho Universidade Estadual de Londrina
  • Paulo Sérgio Soares Guimarães Universidade Federal de Minas Gerais
  • Luiz Alberto Cury Universidade Federal de Minas Gerais
  • Harmand Jean Christophe Laboratoire de Photonique et de Nanostructures - France

DOI:

https://doi.org/10.5433/1679-0375.2004v25n2p183

Palavras-chave:

InGaAs/InP, Fotoluminescência.

Resumo

Medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de luminescência observados à baixa temperatura foram determinados estudando seus diferentes comportamentos com o aumento da temperatura e da potência de excitação e comparando os resultados com os dados encontrados na literatura. Foram identificadas: uma transição envolvendo éxcitons localizados e duas transições envolvendo impurezas aceitadoras. Uma revisão dos principais trabalhos publicados na literatura relacionados às transições ópticas observadas à baixa temperatura no InGaAs/InP também é apresentada.

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Biografia do Autor

Luiz Carlos Poças, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física – CCE – UEL – Londrina/PR.

Élder Mantovani Lopes, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física – CCE – UEL – Londrina/PR.

José Leonil Duarte, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física – CCE – UEL – Londrina/PR.

Ivan Frederico Lupiano Dias, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física – CCE – UEL – Londrina/PR.

Edson Laureto, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física – CCE – UEL – Londrina/PR.

Dari Oliveira Toginho Filho, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física – CCE – UEL – Londrina/PR.

Paulo Sérgio Soares Guimarães, Universidade Federal de Minas Gerais

Departamento de Física – ICEx – UFMG, Belo Horizonte/MG.

Luiz Alberto Cury, Universidade Federal de Minas Gerais

Departamento de Física – ICEx – UFMG, Belo Horizonte/MG.

Harmand Jean Christophe, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures - France

Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, France.

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Publicado

2004-12-15

Como Citar

Poças, L. C., Lopes, Élder M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Toginho Filho, D. O., Guimarães, P. S. S., Cury, L. A., & Christophe, H. J. (2004). Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Semina: Ciências Exatas E Tecnológicas, 25(2), 183–196. https://doi.org/10.5433/1679-0375.2004v25n2p183

Edição

v. 25 n. 2 (2004)

Seção

Artigos

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