Propriedades elétricas da liga AlxGa1-xAs dopada com Silício.
DOI:
https://doi.org/10.5433/1679-0375.1994v14n4p329Palavras-chave:
Semicondutores, Liga Ternária, Epitaxia por Feixe Molecular.Resumo
Discutimos a influência das condições de crescimento, concentração de dopantes e composição sobre as propriedades elétricas de amostras da liga ternária AlxGa1-xAs dopada com Silício, preparadas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE).
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