DIAS, I. F. L.; MIRANDA, R. C.; OLIVEIRA, A. G. de. Electrical properties of Si-doped alloy AlxGa1-xAs. Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas, [S. l.], v. 14, n. 4, p. 329–338, 2004. DOI: 10.5433/1679-0375.1994v14n4p329. Disponível em: https://ojs.uel.br/revistas/uel/index.php/semexatas/article/view/3217. Acesso em: 27 apr. 2024.